Логотип
1
1
1
1
   
Продукция
GaAs: Low Noise GaAs HEMT

Тип Скачать Noise Figure (dB) Associated Gain (dB) Частота (ГГц) Drain-Source Voltage (V) Drain Current (mA) S парам. Прим.
MGF4921AM 0.35(тип.) 0.55(мак.) 11.5(мин.) 13.0(тип.) 4.0 2.0 15.0 G
MGF4931AM 0.6(тип.) 0.8(мак.) 10.0(мин.) 11.5(тип.) 12.0 2.0 7.5 G
MGF4934BM 0.50(тип.) 0.8(мак.) 11.5(мин.) 12.5(тип.) 12.0 2.0 10.0 G
MGF4934CM 0.50(тип.) 0.75(мак.) 11.5(мин.) 13.0(тип.) 12.0 2.0 10.0 G
MGF4935AM 0.45(тип.) 0.65(мак.) 11.0(мин.) 12.0(тип.) 12.0 2.0 10.0 G
MGF4941AL 0.35(тип.) 0.5(мак.) 12.0(мин.) 13.5(тип.) 12.0 2.0 10.0 G
MGF4953A 0.4(тип.) 0.5(мак.) 12.0(мин.) 13.0(тип.) 12.0 2.0 10.0 G
MGF4953B 0.55(тип.) 0.8(мак.) 9.0(мин.) 10.5(тип.) 20.0 2.0 10.0 G
MGF4963BL 0.70(тип.) 0.95(мак.) 11.0(мин.) 13.5(тип.) 20.0 2.0 10.0 G

GaAs: High Power GaAs FET and Small Signal Gain Stage

Тип Скачать Output Power
at 1dB Gain Compression (dBm)
Po (dBm) Linear Power Gain (dB) 3rd Order IM Distortion (dBc) Power Added Efficiency (%) Частота (ГГц) Drain-Source Voltage (V) Drain Current (A) Inverter cir thermal resistance (Cel/W) S парам. Прим.
MGF0805A - 35.0 (мин.) 13.0 (мин.) - 50.0 1.9 10.0 0.4 - G
MGF0840G - 39.0 (мин.) 40.0(тип.) 13.0(мин.) 14.0(тип.) - 55.0 2.6 47.0 0.09 6.8(тип.) 9.7(мак.) G
MGF0843G - 42.0(мин.) 43.0(тип.) 12.0(мин.) 13.0(тип.) - 55.0 2.6 47.0 0.17 3.9(тип.) 5.3(мак.) G
MGF0846G - 45.0(мин.) 46.0(тип.) 11.0(мин.) 12.0(тип.) - 55.0 2.6 47.0 0.34 2.5(тип.) 3.2(мак.) G
MGF0904A - 26.0(мин.) 11.0(мин.) - 40.0 1.65 8.0 0.2 - G
MGF0905A - 33.0(мин.) 7.0(мин.) - 40.0 1.65 8.0 0.8 - G
MGF0906B 35.5(мин.) 37.0(тип.) - 10.0(мин.) - 40.0 2.3 10.0 1.2 6.5(мак.) G
MGF0907B 38.5(мин.) 40.0(тип.) - 8.0(мин.) - 37.0 2.3 10.0 2.4 4.0(мак.) G
MGF0909A 37.0(мин.) 38.0(тип.) - 10.0(мин.) - 45.0 2.3 10.0 1.3 - G
MGF0910A 37.0(мин.) 38.0(тип.) - 10.0(мин.) - 37.0 2.3 10.0 1.3 6.0(мак.) G
MGF0911A 40.0(мин.) 41.0(тип.) 40.0(мин.) 10.0(мин.) - 40.0 2.3 10.0 2.6 4.5(мак.) G
MGF0913A - 29.5(мин.) 11.0(мин.) - 48.0 1.9 10.0 0.2 20.0(тип.) 30.0(мак.) G
MGF0915A - 35.0(мин.) 13.0(мин.) - 50.0 1.9 10.0 0.8 5.0(тип.) 8.0(мак.) G
MGF0918A - 25.0(мин.) 18.0(мин.) - 45.0 1.9 10.0 0.15 35.0(тип.) 50.0(мак.) G
MGF0920A - 30.0(мин.) 16.0(мин.) - 45.0 1.9 10.0 0.4 13.0(тип.) 18.0(мак.) G
MGF0921A - 31.0(мин.) 15.0(мин.) - 40.0 1.9 10.0 0.5 11.0(тип.) 15.0(мак.) G
MGF0951P - 29.5(мин.) 11.0(мин.) -42.0 50.0 2.15 10.0 0.2 20.0(тип.) 25.0(мак.) G
MGF0952P - 35.0(мин.) 11.0(мин.) -42.0 50.0 2.15 10.0 0.7 5.0(тип.) 6.0(мак.) G
MGF0953P - 26.0(мин.) 16.5(мин.) -42.0 50.0 2.15 10.0 0.15 14.0(тип.) 20.0(мак.) G
MGF1451A 11.0(мин.) 13.0(тип.) - 9.0(мин.) - - 12 3.0 0.03 - G
MGF1951A 11.0(мин.) 13.0(тип.) - 7.0(мин.) - - 12 3.0 0.03 - G
MGF1952A 15.0(мин.) 17.0(тип.) - 5.0(мин.) - - 12 3.0 0.06 - G
MGF1953A 18.0(мин.) 20.0(тип.) - 4.0(мин.) - - 12 4.0 0.1 - G
MGF1954A 21.0(мин.) 23.0(тип.) - 3.0(мин.) - - 12 6.0 0.1 - G
MGF2407A 23.0(мин.) 24.5(тип.) - 7.0(мин.) - 30.0 14.5 10.0 0.075 100.0(мак.) G
MGF2415A 26.0(мин.) 27.5(тип.) - 6.5(мин.) - 29.0 14.5 10.0 0.15 60.0(мак.) G
MGF2430A 29.0(мин.) 30.5(тип.) - 5.5(мин.) - 27.0 14.5 10.0 0.3 30.0(мак.) G
MGF2445A 31.0(мин.) 32.0(тип.) - 5.5(мин.) - 20.0 12 10.0 0.45 15.0(мак.) G
MGF4851A 12.0(мин.) 14.5(тип.) - 9.0(мин.) - - 12 2.5 0.025 - G

GaAs: L/S Band Internally Matched Power GaAs FET

Тип Скачать Output Power at 1dB Gain Compression (dBm) Po (dBm) Linear Power Gain (dB) 3rd Order IM Distortion (dBc) Power Added Efficiency (%) Частота (ГГц) Drain-Source Voltage (V) Drain Current (A) Inverter cir thermal resistance (Cel/W) S
парам.
Прим.
MGFS45B2527B 45.0 47.0(мин.) 12.0(мин.) -45.0 45.0 2.5~2.7 12.0 0.9

1.1(тип.) 1.9(мак.)

- G
MGFS45V2123A 44.0(мин.) 45.0(тип.) - 11.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 45.0 2.1~2.3 10.0 6.5 1.5(мак.) G
MGFS45V2325A 44.0(мин.) 45.0(тип.) - 11.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 45.0 2.3~2.5 10.0 6.5 1.5(мак.) G
MGFS45V2527A 44.0(мин.) 45.0(тип.) - 11.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 45.0 2.5~2.7 10.0 6.5 1.5(мак.) G
MGFS45V2735 44.0(мин.) 45.0(тип.) - 11.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 36.0 2.7~3.5 10.0 8.0 0.8(тип.) 1.0(мак.) G

GaAs: C Band Internally Matched Power GaAs FET

Тип Скачать Output Power at 1dB Gain Compression (dBm) Po (dBm) Linear Power Gain (dB) 3rd Order IM Distortion (dBc) Power Added Efficiency (%) Частота (ГГц) Drain-Source Voltage (V) Drain Current (A) Inverter cir thermal resistance (Cel/W) S
парам.
Прим.
MGFC36V3436 35.0(мин.) 37.0(тип.) - 11.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 3.4~3.6 10.0 1.2 5.0(тип.) 6.0(мак.) G
MGFC36V4450A 35.0(мин.) 37.0(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 4.4~5.0 10.0 1.2 5.0(тип.) 6.0(мак.) G
MGFC36V5258 35.0(мин.) 36.0(тип.) - 9.0(мин.) - 33.0 5.2~5.8 10.0 1.2 6.0(мак.) G
MGFC36V5964A 35.0(мин.) 37.0(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 30.0 5.9~6.4 10.0 1.2 5.0(тип.) 6.0(мак.) G
MGFC36V6472A 35.0(мин.) 37.0(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 30.0 6.4~7.2 10.0 1.2 5.0(тип.) 6.0(мак.) G
MGFC36V7177A 35.0(мин.) 36.5(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 30.0 7.1~7.7 10.0 1.2 5.0(тип.) 6.0(мак.) G
MGFC39V3436 38.0(мин.) 39.5(тип.) - 10.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 3.4~3.6 10.0 2.4 3.0(тип.) 3.5(мак.) G
MGFC39V3742A 38.0(мин.) 39.5(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 31.0 3.7~4.2 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC39V4450A 38.0(мин.) 39.0(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 30.0 4.4~5.0 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC39V5258 38.0(мин.) 39.0(тип.) - 8.0(мин.) - 30.0 5.2~5.8 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC39V5964A 38.0(мин.) 39.5(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 30.0 5.9~6.4 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC39V6472A 38.0(мин.) 39.5(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 28.0 6.4~7.2 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC39V7177A 38.0(мин.) 39.5(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 28.0 7.1~7.7 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC39V7785A 38.0(мин.) 39.5(тип.) - 6.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 27.0 7.7~8.5 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC40V3742 39.5(мин.) 40.5(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 3.7~4.2 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC40V4450 39.5(мин.) 40.5(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 4.4~5.0 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC40V5258 39.5(мин.) 40.5(тип.) - 8.0(мин.) - 32.0 5.2~5.8 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC40V5964 39.5(мин.) 40.5(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -49.0(тип.) 30.0 5.9~6.4 10.0 2.4 3.0(тип.) 3.5(мак.) G
MGFC40V6472 39.5(мин.) 40.5(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 6.4~7.2 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC40V7177 39.0(мин.) 40.0(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 7.1~7.7 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC40V7785 39.0(мин.) 40.0(тип.) - 6.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 7.7~8.5 10.0 2.4 3.5(мак.) G
MGFC42V3436 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 12.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 37.0 3.4~3.6 10.0 4.5 1.9(мак.) G
MGFC42V3742 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 3.7~4.2 10.0 4.5 1.9(мак.) G
MGFC42V4450 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 32.0 4.4~5.0 10.0 4.5 1.9(мак.) G
MGFC42V5258 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 8.0(мин.) - 31.0 5.2~5.8 10.0 4.5 1.9(мак.) G
MGFC42V5964 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 31.0 5.9~6.4 10.0 4.5 1.6(тип.) 1.9(мак.) G
MGFC42V5964A 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 33.0 5.9~6.4 10.0 4.5 1.6(мак.) G
MGFC42V6472 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 30.0 6.4~7.2 10.0 4.5 1.9(мак.) G
MGFC42V6472A 41.5(мин.) 42.5(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 31.0 6.4~7.2 10.0 4.5 1.6(мак.) G
MGFC42V7785A 41.0(мин.) 42.0(тип.) - 6.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 28.0 7.7~8.5 10.0 4.5 1.6(мак.) G
MGFC44V3436 43.0(мин.) 44.0(тип.) - 11.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 36.0 3.4~3.6 10.0 6.4 1.2(мак.) G
MGFC44V5964 43.0(мин.) 44.0(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) 33.0 5.9~6.4 10.0 6.4 1.6(мак.) G
MGFC44V6472 43.0(мин.) 44.0(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) 31.0 6.4~7.2 10.0 6.4 1.6(мак.) G
MGFC45B3436B 45 - 10.0 - 45 3.4~3.6 12 0.8 1.9 G
MGFC45V4450A 44.0(мин.) 45.0(тип.) - 9.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 34.0 4.4~5.0 10.0 8.0 0.8(тип.) 1.0(мак.) G
MGFC45V5964A 44.0(мин.) 45.0(тип.) - 8.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 33.0 5.9~6.4 10.0 8.0 0.8(тип.) 1.0(мак.) G
MGFC45V6472A 44.5(мин.) 45.0(тип.) - 7.0(мин.) -42.0(мин.) -45.0(тип.) 35.0 6.4~7.2 10.0 8.0 1.0(мак.) G
MGFC47A4450 46.0(мин.) 47.0(тип.) - 9.5(мин.) - 40.0 4.4~5.0 10.0 9.8 0.8(тип.) 0.9(мак.) - G
MGFC47B3436B 47 - 9.0 -45.0 45 3.4~3.6 12 1.5 1.2 - G
MGFC47V5864 46.0(мин.) 47.0(тип.) - 8.5(мин.) - 35.0 5.8~6.4 10.0 9.8 0.8(тип.) 0.9(мак.) G

GaAs: X/Ku Band Internally Matched Power GaAs FET

Тип Скачать Output Power at 1dB Gain Compression (dBm) Po (dBm) Linear Power Gain (dB) 3rd Order IM Distortion (dBc) Power Added Efficiency (%) Частота (ГГц) Drain-Source Voltage (V) Drain Current (A) Inverter cir thermal resistance (Cel/W) S
парам.
Прим.
MGFK38A3745 37.0(мин.) 38.0(тип.) - 7.0(мин.) - 30.0 13.75~14.5 10.0 1.5 3.6(тип.) 4.0(мак.) G
MGFK41A4045 40.0(мин.) 41.0(тип.) - 6.0(мин.) - 25.0 14.0~14.5 10.0 3.0 1.8(тип.) 2.2(мак.) G
MGFK44A4045 43.0(мин.) 44.0(тип.) - 5.0(мин.) - 17.0 14.0~14.5 10.0 6.0 1.2(тип.) 1.5(мак.) G
MGFX36V0717 34.5(мин.) 36.0(тип.) - 7.0(мин.) - 28.0 10.7~11.7 10.0 1.2 5.5(мак.) G
MGFX39V0717 37.5(мин.) 39.0(тип.) - 6.0(мин.) - 26.0 10.7~11.7 10.0 2.4 3.5(мак.) G

GaAs: GaAs Hybrid IC for Mobile Phone

Тип fL (MHz) fH (MHz) Po (dBm) VD (V) VG (V) Eff (%) Pin (dBm) Прим.
BA01261 824 849 26.5 3.5 - 39 -1 -
BA01262 1920 1980 26.5 3.5 - 42 -1.0 -
BA01263 1750 1785 26.5 3.5 - 43 -0.5 -
BA012B6 824/1920 849/1980 26.5 3.5 - - - Dual band PA
(Band1 & Band5) 3mm x 4.5mm
BA012B8 824/1750/1920 849/1785/1980 26.5 3.5 - - - Triple band PA
(Band1 & 5 & 9) 3mm x 4.5mm
BA012D1 1920 1980 28.25 3.4 - - - LTE compliant
3mm x 3mm with coupler
2bit gain control function
BA012D2 824 849 28.25 3.4 - - - LTE compliant
3mm x 3mm with coupler
2bit gain control function
BA012D3 1427.9 1462.9 28.5 3.4 - - - LTE compliant
3mm x 3mm with coupler
2bit gain control function
BA012D4 1850 1910 28.6 3.4 - - - LTE compliant
3mm x 3mm with coupler
2bit gain control function
BA012D5 880 915 28.5 3.4 - - - LTE compliant
3mm x 3mm with coupler
2bit gain control function
BA012D6 1710 1785 28.4 3.4 - - - LTE compliant
3mm x 3mm with coupler
2bit gain control function
BA012F1 1920 1980 28.25 3.4 - 45 - 3mm x 3mm with coupler
1bit gain control function
BA012F2 1850 1910 28.25 3.4 - 45 - 3mm x 3mm with coupler
1bit gain control function
BA012F3 1710 1785 28.25 3.4 - 45 - 3mm x 3mm with coupler
1bit gain control function
BA012F5 824 849 28.25 3.4 - 45 - 3mm x 3mm with coupler
1bit gain control function
BA012F8 880 915 28.25 3.4 - 45 - 3mm x 3mm with coupler
1bit gain control function

GaAs: GaAs Amplifier for Wireless Access

Тип Скачать fL (MHz) fH (MHz) Po (dBm) VD (V) VG (V) Eff (%) Pin (dBm) Прим.
MGFS36E2325 2300 2500 27 6 2.85 11 -6 G
MGFS36E2527 2500 2700 27 6 2.85 12 -6 G
MGFS36E3436A 3400 3600 27 6 2.85 11 -3 G
MGFS39E2527 - - - - - - - - -
MGFS39E2527A 2500 2700 30 6 2.85 14 -12 G
MGFS39E3336 3300 3600 30 6 2.85 14 -13 G

Copyright 2010 ©